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高溫柵偏

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設(shè)備:高溫柵偏測(cè)試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商:閱芯科技

用途:要用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗(yàn),比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTGB 試驗(yàn),用于測(cè)定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):GJB128A-1997方法1042條件B穩(wěn)態(tài)柵偏置;MIL-STD-750F Method 1038 Test condition BJESD22-A108D  Temperature,Bias,and Operating Life

技術(shù)指標(biāo):

l  最大工作電壓2000V

l  測(cè)試溫度:-20-180

l  IGES檢測(cè)范圍:0-2000nA,分辨率0.01nA


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